YAG+Nd:YAG+YAG最先出現在芯飛睿。
]]>Nd:YAG的熱導率為14W/m/K, 20oC, 10.5W/m/K, 100oC，純YAG晶體的熱導率為14W/m/K@20℃、10.5W/m/K@100℃，兩端鍵合形成YAG+Nd:YAG+YAG鍵合晶體，可以有效改善Nd:YAG晶體的熱效應，降低激光泵浦時形成的熱透鏡效應，改善激光的光束質量，提升1064nm、1319nm激光輸出效率，并能提升激光器的輸出能力穩定性，提升激光器的使用壽命。
芯飛睿使用表面活化鍵合技術，是一種低溫或者常溫下的鍵合技術，典型特征是表面清洗和表面活化。在鍵合前，通過快原子或者離子束對鍵合表面的轟擊，可以有效的增加鍵合強度，實現對無機材料、金屬、半導體材料間的高質量鍵合。與高溫熱鍵合方法相比，表面活化鍵合技術鍵合結合力界面較高、光吸收損耗和面形變化控制相對而言更優，而熱擴散鍵合表面的雜質去不掉，被鍵合在結合面。表面活化鍵合技術有去除各種拋光的殘留成分、去除有機污染物、去除表面氧化層和打斷材料化學鍵，提升活化能等優點。
生產的YAG+Nd:YAG+YAG鍵合晶體的鍵合強度高、鍵合面吸收損耗小（一般小于20ppm）、鍵合面面形變化小（鍵合后面形<lamda/8)。鍵合晶體的形狀可以是棒狀、板狀、波導或者三明治形狀。在鍵合晶體兩端可以提供多種類型的鍍膜，如兩個端面增透膜AR/AR@1064nm, 或者S1:HR@1064nm，S2: PR@1064nm等。YAG+Nd:YAG+YAG鍵合晶體在生物物理，醫學，軍事，機械，科研和建筑等領域有著廣泛的應用。
特點：
YAG+Nd:YAG+YAG最先出現在芯飛睿。
]]>Nd:YAG+Cr:YAG最先出現在芯飛睿。
]]>Nd:YAG的熱導率為14W/m/K, 20o C, 10.5W/m/K, 100oC，Cr:YAG晶體的熱導率為12.13W/m/K，兩端鍵合形成Nd:YAG+Cr:YAG鍵合晶體，可以有效改善Nd:YAG晶體的熱效應，降低激光泵浦時形成的熱透鏡效應，改善激光的光束質量，提高損傷閾值，減少熱效應，提高效率并能提升激光器的輸出能力穩定性，提升激光器的使用壽命。經過精密光學加工的表面的分子相互擴散、融合，形成更穩定的化學鍵，達到真正意義上的結合為一體，可以使激光器件小型化、集成化，同時改善激光棒的熱性能。
芯飛睿使用表面活化鍵合技術，是一種低溫或者常溫下的鍵合技術，典型特征是表面清洗和表面活化。在鍵合前，通過快原子或者離子束對鍵合表面的轟擊，可以有效的增加鍵合強度，實現對無機材料、金屬、半導體材料間的高質量鍵合。與高溫熱鍵合方法相比，表面活化鍵合技術鍵合結合力界面較高、光吸收損耗和面形變化控制相對而言更優，而熱擴散鍵合表面的雜質去不掉，被鍵合在結合面。表面活化鍵合技術有去除各種拋光的殘留成分、去除有機污染物、去除表面氧化層和打斷材料化學鍵，提升活化能等優點。
生產的Nd:YAG+Cr:YAG鍵合晶體的鍵合強度高、鍵合面吸收損耗小（一般小于20ppm）、鍵合面面形變化小（鍵合后面形<lamda/8)。鍵合晶體的形狀可以是棒狀、板狀、波導或者三明治形狀。在鍵合晶體兩端可以提供多種類型的鍍膜，如兩個端面增透膜AR/AR@1064nm+808nm,或者S1:HR@1064nm&AR@808nm，S2: PR@1064nm&HR@808nm等。Nd:YAG+Cr:YAG鍵合晶體在生物物理，醫學，軍事，機械，科研和建筑等領域有著廣泛的應用。
特點：
Nd:YAG+Cr:YAG最先出現在芯飛睿。
]]>Nd:YVO4的熱傳導系數為∥C:5.23W/m/K;⊥C:5.10W/m/K,KTP晶體的熱導率為0.13W/m/k (@ 100℃)，兩端鍵合形成Nd:YVO4+KTP鍵合晶體，可以有效改善Nd:YVO4晶體的熱效應，降低激光泵浦時形成的熱透鏡效應。改善激光的光束質量，提升457nm、671nm激光輸出效率，并能提升激光器的輸出能力穩定性，提升激光器的使用壽命。
芯飛睿使用表面活化鍵合技術，是一種低溫或者常溫下的鍵合技術，典型特征是表面清洗和表面活化。在鍵合前，通過快原子或者離子束對鍵合表面的轟擊，可以有效的增加鍵合強度，實現對無機材料、金屬、半導體材料間的高質量鍵合。與高溫熱鍵合方法相比，表面活化鍵合技術鍵合結合力界面較高、光吸收損耗和面形變化控制相對而言更優，而熱擴散鍵合表面的雜質去不掉，被鍵合在結合面。表面活化鍵合技術有去除各種拋光的殘留成分、去除有機污染物、去除表面氧化層和打斷材料化學鍵，提升活化能等優點。
生產的Nd:YVO4+KTP鍵合晶體的鍵合強度高、鍵合面吸收損耗小（一般小于20ppm）、鍵合面面形變化小（鍵合后面形<lamda/8)。鍵合晶體的形狀可以是棒狀、板狀、波導或者三明治形狀。在鍵合晶體兩端可以提供多種類型的鍍膜，如兩個端面增透膜AR@1064nm&532nm等。Nd:YVO4+KTP鍵合晶體廣泛用于在機械、材料加工、波譜學、晶片檢驗、顯示器、醫學檢測、激光印刷、數據存儲等多個領域。
特點：
YVO4+Nd:GdVO4+YVO4 Read More ?
YVO<sub>4</sub>+Nd:GdVO<sub>4</sub>+YVO<sub>4</sub>最先出現在芯飛睿。
]]>Nd:GdVO4的熱導率為11.7W/cm/°K@ 25°C,純YVO4晶體的熱導率為 //C: 5.23 W/m/K ； ⊥C: 5.10 W/m/K，兩端鍵合形成YVO4+Nd:GdVO4+YVO4鍵合晶體，可以有效改善Yb:YAG晶體的熱效應，降低激光泵浦時形成的熱透鏡效應，改善激光的光束質量，提升457nm、671nm激光輸出效率，并能提升激光器的輸出能力穩定性，提升激光器的使用壽命。
芯飛睿使用表面活化鍵合技術，是一種低溫或者常溫下的鍵合技術，典型特征是表面清洗和表面活化。在鍵合前，通過快原子或者離子束對鍵合表面的轟擊，可以有效的增加鍵合強度，實現對無機材料、金屬、半導體材料間的高質量鍵合。與高溫熱鍵合方法相比，表面活化鍵合技術鍵合結合力界面較高、光吸收損耗和面形變化控制相對而言更優，而熱擴散鍵合表面的雜質去不掉，被鍵合在結合面。表面活化鍵合技術有去除各種拋光的殘留成分、去除有機污染物、去除表面氧化層和打斷材料化學鍵，提升活化能等優點。
生產的YVO4+Nd:GdVO4+YVO4鍵合晶體的鍵合強度高、鍵合面吸收損耗小（一般小于20ppm）、鍵合面面形變化小（鍵合后面形<lamda/8)。鍵合晶體的形狀可以是棒狀、板狀、波導或者三明治形狀。在鍵合晶體兩端可以提供多種類型的鍍膜，如兩個端面增透膜AR@1064nm+808nm，或者S1:HR@1064nm&AR@808nm，S2:PR@1064nm&HR@808nm等。YVO4+Nd:YVO4+YVO4鍵合晶體廣泛用于在機械、材料加工、波譜學、晶片檢驗、顯示器、醫學檢測、激光印刷、數據存儲等多個領域。
特點：
YVO<sub>4</sub>+Nd:GdVO<sub>4</sub>+YVO<sub>4</sub>最先出現在芯飛睿。
]]>Nd:YVO4的熱導率為11.7W/cm/°K@ 25°C,純YVO4晶體的熱導率為 //C: 5.23 W/m/K ；⊥C: 5.10 W/m/K，兩端鍵合形成YVO4+Nd:YVO4+YVO4鍵合晶體，可以有效改善Nd:YVO4晶體的熱效應，降低激光泵浦時形成的熱透鏡效應，改善激光的光束質量，提升457nm、671nm激光輸出效率，并能提升激光器的輸出能力穩定性，提升激光器的使用壽命。
芯飛睿使用表面活化鍵合技術，是一種低溫或者常溫下的鍵合技術，典型特征是表面清洗和表面活化。在鍵合前，通過快原子或者離子束對鍵合表面的轟擊，可以有效的增加鍵合強度，實現對無機材料、金屬、半導體材料間的高質量鍵合。與高溫熱鍵合方法相比，表面活化鍵合技術鍵合結合力界面較高、光吸收損耗和面形變化控制相對而言更優，而熱擴散鍵合表面的雜質去不掉，被鍵合在結合面。表面活化鍵合技術有去除各種拋光的殘留成分、去除有機污染物、去除表面氧化層和打斷材料化學鍵，提升活化能等優點。
生產的YVO4+Nd:YVO4+YVO4鍵合晶體的鍵合強度高、鍵合面吸收損耗小（一般小于20ppm）、鍵合面面形變化小（鍵合后面形<lamda/8)。鍵合晶體的形狀可以是棒狀、板狀、波導或者三明治形狀。在鍵合晶體兩端可以提供多種類型的鍍膜，如兩個端面增透膜AR@1064nm+808nm，或者S1:HR@1064nm&AR@808nm，S2:PR@1064nm&HR@808nm等。YVO4+Nd:YVO4+YVO4鍵合晶體廣泛用于在機械、材料加工、波譜學、晶片檢驗、顯示器、醫學檢測、激光印刷、數據存儲等多個領域。
特點：
YAG+Er:YAG+YAG最先出現在芯飛睿。
]]>Er:YAG的熱導率為14W/m/K@20℃. 10.5W/m/K@100℃,純YAG晶體的熱導率為14W/m/K@20℃ 10.5W/m/K@100℃，兩端鍵合形成YAG+Er:YAG+YAG鍵合晶體，可以有效改善Er:YAG晶體的熱效應，降低激光泵浦時形成的熱透鏡效應，改善激光的光束質量，提升1600nm、2940nm激光輸出效率，并能提升激光器的輸出能力穩定性，提升激光器的使用壽命。
芯飛睿使用表面活化鍵合技術，是一種低溫或者常溫下的鍵合技術，典型特征是表面清洗和表面活化。在鍵合前，通過快原子或者離子束對鍵合表面的轟擊，可以有效的增加鍵合強度，實現對無機材料、金屬、半導體材料間的高質量鍵合。與高溫熱鍵合方法相比，表面活化鍵合技術鍵合結合力界面較高、光吸收損耗和面形變化控制相對而言更優，而熱擴散鍵合表面的雜質去不掉，被鍵合在結合面。表面活化鍵合技術有去除各種拋光的殘留成分、去除有機污染物、去除表面氧化層和打斷材料化學鍵，提升活化能等優點。
生產的YAG+Er:YAG+YAG鍵合晶體的鍵合強度高、鍵合面吸收損耗小（一般小于20ppm）、鍵合面面形變化小（鍵合后面形<lamda/8)。鍵合晶體的形狀可以是棒狀、板狀、波導或者三明治形狀。在鍵合晶體兩端可以提供多種類型的鍍膜，如兩個端面增透膜AR/AR@1645nm，或者AR/AR@2940nm，或者S1:HR@2940nm，S2: PR@2940nm等。YAG+Er:YAG+YAG鍵合晶體廣泛用于于整形外科和牙科領域等。
特點：
YAG+Er:YAG+YAG最先出現在芯飛睿。
]]>ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe最先出現在芯飛睿。
]]>Cr:ZnSe的熱傳導系數為14W/cm/°K@ 20°C,ZnSe晶體的熱導率為18W/m/K，兩端鍵合形成ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe鍵合晶體，可以有效改善Cr:ZnSe晶體的熱效應，降低激光泵浦時形成的熱透鏡效應，改善激光的光束質量，并能提升激光器的輸出能力穩定性，提升激光器的使用壽命。可調性廣泛（從2.1-3.1μm發射），增大增益截面（σ發射?9 × 10-19 cm2）以及激發態吸收的最小問題（不允許上能級激發態的自旋躍遷）等優點。
芯飛睿使用表面活化鍵合技術，是一種低溫或者常溫下的鍵合技術，典型特征是表面清洗和表面活化。在鍵合前，通過快原子或者離子束對鍵合表面的轟擊，可以有效的增加鍵合強度，實現對無機材料、金屬、半導體材料間的高質量鍵合。與高溫熱鍵合方法相比，表面活化鍵合技術鍵合結合力界面較高、光吸收損耗和面形變化控制相對而言更優，而熱擴散鍵合表面的雜質去不掉，被鍵合在結合面。表面活化鍵合技術有去除各種拋光的殘留成分、去除有機污染物、去除表面氧化層和打斷材料化學鍵，提升活化能等優點。
生產的ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe鍵合晶體的鍵合強度高、鍵合面吸收損耗小（一般小于20ppm）、鍵合面面形變化小（鍵合后面形<lamda/8)。鍵合晶體的形狀可以是棒狀、板狀、波導或者三明治形狀。在鍵合晶體兩端可以提供多種類型的鍍膜，如兩個端面增透膜AR@2300~2500nm等。ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe鍵合晶體廣泛的應用于光通信、污染氣體檢測、工業燃燒產物測試等領域。
ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe最先出現在芯飛睿。
]]>YAG+Cr,Tm,Ho:YAG+YAG Read More ?
YAG+Cr,Tm,Ho:YAG+YAG最先出現在芯飛睿。
]]>Cr,Tm,Ho:YAG的熱導率為14W/m/K, 20°C · 10.5W/m/K, 100°C ,純YAG晶體的熱導率為14W/m/K@20℃ 10.5W/m/K@100℃，兩端鍵合形成YAG+Cr,Tm,Ho:YAG+YAG鍵合晶體，可以有效改善Cr,Tm,Ho:YAG晶體的熱效應，降低激光泵浦時形成的熱透鏡效應，良好的化學穩定性、耐用性、耐紫外線、良好的導熱性和高損傷閾值(>500MW/cm2)及易于操作以及改善激光的光束質量，提升2100nm激光輸出效率，并能提升激光器的輸出能力穩定性，提升激光器的使用壽命。
芯飛睿使用表面活化鍵合技術，是一種低溫或者常溫下的鍵合技術，典型特征是表面清洗和表面活化。在鍵合前，通過快原子或者離子束對鍵合表面的轟擊，可以有效的增加鍵合強度，實現對無機材料、金屬、半導體材料間的高質量鍵合。與高溫熱鍵合方法相比，表面活化鍵合技術鍵合結合力界面較高、光吸收損耗和面形變化控制相對而言更優，而熱擴散鍵合表面的雜質去不掉，被鍵合在結合面。表面活化鍵合技術有去除各種拋光的殘留成分、去除有機污染物、去除表面氧化層和打斷材料化學鍵，提升活化能等優點。
生產的YAG+Cr,Tm,Ho:YAG+YAG鍵合晶體的鍵合強度高、鍵合面吸收損耗小（一般小于20ppm）、鍵合面面形變化小（鍵合后面形<lamda/8)。鍵合晶體的形狀可以是棒狀、板狀、波導或者三明治形狀。在鍵合晶體兩端可以提供多種類型的鍍膜，如兩個端面增透膜AR/AR@2080nm，或者S1:HR@2080nm，S2: PR@2080nm等。YAG+Cr,Tm,Ho:YAG+YAG鍵合晶體廣泛用于醫療、激光雷達、軍事等領域。
YAG+Cr,Tm,Ho:YAG+YAG最先出現在芯飛睿。
]]>Nd,Ce:YAG+Cr:YAG最先出現在芯飛睿。
]]>Nd,Ce:YAG的熱導率為14W/m/K, 20o C, 10.5W/m/K, 100oC，Cr:YAG晶體的熱導率為12.13W/m/K，兩端鍵合形成Nd,Ce:YAG+Cr:YAG鍵合晶體，可以改善激光的光束質量，改善光束質量，提高損傷閾值，減少熱效應，提高效率并能提升激光器的輸出能力穩定性，提升激光器的使用壽命。經過精密光學加工的表面的分子相互擴散、融合，形成更穩定的化學鍵，達到真正意義上的結合為一體，可以使激光器件小型化、集成化，同時改善激光棒的熱性能。
芯飛睿使用表面活化鍵合技術，是一種低溫或者常溫下的鍵合技術，典型特征是表面清洗和表面活化。在鍵合前，通過快原子或者離子束對鍵合表面的轟擊，可以有效的增加鍵合強度，實現對無機材料、金屬、半導體材料間的高質量鍵合。與高溫熱鍵合方法相比，表面活化鍵合技術鍵合結合力界面較高、光吸收損耗和面形變化控制相對而言更優，而熱擴散鍵合表面的雜質去不掉，被鍵合在結合面。表面活化鍵合技術有去除各種拋光的殘留成分、去除有機污染物、去除表面氧化層和打斷材料化學鍵，提升活化能等優點。
生產的Nd,Ce:YAG+Cr:YAG鍵合晶體的鍵合強度高、鍵合面吸收損耗小（一般小于20ppm）、鍵合面面形變化小（鍵合后面形<lamda/8)。Cr:YAG初始傳輸是在30～99%。鍵合晶體的形狀可以是棒狀、板狀、波導或者三明治形狀。在鍵合晶體兩端可以提供多種類型的鍍膜，如兩個端面增透膜AR/AR@1064nm, 或者S1:HR@1064nm，S2: PR@1064nm等。Nd,Ce:YAG+Cr:YAG鍵合晶體在生物物理，醫學，軍事，機械，科研和建筑等領域有著廣泛的應用。
特點：
Nd,Ce:YAG+Cr:YAG最先出現在芯飛睿。
]]>鍵合形成Er，Yb :glass+Co:spinel鍵合晶體，可以有效改善Er,Yb:glass晶體的熱效應，降低激光泵浦時形成的熱透鏡效應，改善激光的光束質量，提升1535nm激光輸出效率，并能提升激光器的輸出能力穩定性，提升激光器的使用壽命。
芯飛睿使用表面活化鍵合技術，是一種低溫或者常溫下的鍵合技術，典型特征是表面清洗和表面活化。在鍵合前，通過快原子或者離子束對鍵合表面的轟擊，可以有效的增加鍵合強度，實現對無機材料、金屬、半導體材料間的高質量鍵合。與高溫熱鍵合方法相比，表面活化鍵合技術鍵合結合力界面較高、光吸收損耗和面形變化控制相對而言更優，而熱擴散鍵合表面的雜質去不掉，被鍵合在結合面。表面活化鍵合技術有去除各種拋光的殘留成分、去除有機污染物、去除表面氧化層和打斷材料化學鍵，提升活化能等優點。
生產的Er，Yb :glass+Co:spinel鍵合晶體的鍵合強度高、鍵合面吸收損耗小（一般小于20ppm）、鍵合面面形變化小（鍵合后面形<lamda/8)。鍵合晶體的形狀可以是棒狀、板狀、波導或者三明治形狀。在鍵合晶體兩端可以提供多種類型的鍍膜，如兩個端面增透膜AR@1535nm，或者S1:HR@1535nm+AR@940nm,S2:AR@1535+HR@940nm，或者S1:HR@1535nm+AR@940nm,? S2:PR@1535+HR@940nm等。Er，Yb :glass+Co:spinel鍵合晶體廣泛應用于測距儀，雷達，目標識別等領域廣泛應用。
特點：